COLUMN：【SSD/NAND 基礎講座】 31．Read Disturb(リード ディスターブ) 1/2
特定のエリアに偏って読み出し続けていると、書き換え回数が多く、かつ、 長期間にわたって読み出さないエリアの誤り率が増加する。 １．書き換え回数が多くなるほどメモリセルに対するストレスが蓄積し、 記録したデータが時間経過とともに消えやすくなる。 ２．特定のブロックだけを繰り返して読み出した時、 読み出さないエリアにもストレスがかかる。 NANDフラッシュメモリは読み出さないエリアにも電圧が加わる。 このため記録したデータが少しずつ消えていく(電圧が少しずつ低下し、しきい値を下回る)。 NANDフラッシュメモリはReadを繰り返すだけでセルに負荷をかける。 Eraseには制限回数があが、Readは過度にReadを繰り返すとビット化けを起こす危険がある。 Readすると該当するページに負荷がかかるが、 ワードラインとビットラインを共有している別のページや隣接するブロックにも負荷がかかる。 Rea
リードディスターブとは
この記事で紹介している製品 フラッシュストレージ製品 NANDの読み出し動作 NANDのリードはページ単位で行われます。 読みたいページが割り当てられたワードラインに隣接するワードラインに電圧を かけることで、読みたいワードラインの各セルに蓄えられた電圧を検出し、各ビットの 値が1か0かを判断します。 リードディスターブとは 特定のページを繰り返し読み出した場合、隣接するワードラインに繰り返し 電圧を印加することになります。 この動作は弱くデータを書き込む動作と同じになるため、セルは元々記録された 値から変化してしまいます。この現象をリードディスターブと呼びます。 リードが繰り返されることで、そのページおよび近傍のページのデータが異常になる ことがあるので、SSDはファームウェアで対策をしています。 弊社のリードディスターブへの対策について 以下の「お問い合わはこちら」よりご連絡お願いしま
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リードディスターブ - トランセンド｜メモリ製品のスペシャリスト
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