ナノインプリント・リソグラフィ

ナノインプリント・リソグラフィとは現在開発が進められている半導体の微細パターン転写技術である^[1]。従来のパターン作成には縮小投影型露光装置︵ステッパー︶が使用されていたが、微細化に伴い、極端紫外線露光装置の価格とパターンマスクの価格が高騰していて、導入に躊躇する半導体メーカーが続出しており、普及の妨げになっていた^[1]^[注 1]。ナノインプリント・リソグラフィが普及すれば生産性が向上し、半導体の製造コストの低減に大きく貢献する事が予想される^[1]。一方、インプリント・リソグラフィには﹃パーシャルフィールド﹄という特有の問題もある^[2]。

概要[編集]

1995年プリンストン大学Chou らによって熱サイクルナノインプリント法が提案された。10nm程度の解像度を有する加工技術として注目されている^[1]。熱サイクルナノインプリント法ではシリコン基板上にレジストを塗布した状態で200℃まで加熱して軟化後、電子線描画装置で作成したモールドを密着させてその後冷却する事でパターンを形成する^[1]。但し、加熱、冷却するので単位時間毎の処理能力が低く、寸法精度にも課題があるとされる^[1]。一方、紫外線硬化樹脂を用いる光ナノインプリント技術もある。こちらは上記の熱サイクルナノインプリントとは異なり、加熱、冷却しないのでそれに伴う熱膨張、熱収縮に伴う問題が生じないという利点がある^[^1]。アライメント︵位置合わせ︶の精度が重要で仮に22nmのデザインルールにナノインプリントを適用する場合にはアライメント精度は3nm以下が必要なのでこれがネックになる。また、ウエハーに接触するので使用時にマスクのコンタミネーションによる汚染の懸念があり頻繁な検査を要する。これらの問題点の解決が普及への課題となっている^[3]。

用途[編集]

●マイクロレンズ、反射防止膜、LED等に応用されている。 ●太陽電池の表面にナノインプリントで凹凸を持たせることで効率をあげることが期待される。 ●透明性の優れたアクリル︵PMMA︶は、光学部品への応用が考えられている。 ●体内で分解するポリ乳酸は、長期間放置すると環境を損なわずに分解されるため使い捨てのバイオチップや環境測定チップなどへの応用が図られている。 ●回折格子やフレネルレンズをナノインプリント技術で製作することにより、大きな屈折角や短い焦点距離を実現可能である。

脚注[編集]

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注釈[編集]

^ ムーアの法則は形骸化しつつある。

出典[編集]

^ ^a ^b ^c ^d ^e ^f ^g 新しい微細パタン転写技術 2008/9
^ ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（4）～「パーシャルフィールド」への対処 SEMICON West 2015リポート(11) 2015年09月15日
^ <該当するページがみつかりません。> ナノインプリント産業の状況 ^{[リンク切れ]}

関連文献[編集]

●谷口淳﹃はじめてのナノインプリント技術﹄工業調査会︿ビギナーズブックス﹀、2005年12月。ISBN 9784769312482。国立国会図書館書誌ID:000008062969。 ●平井義彦﹃ナノインプリントの基礎と技術開発・応用展開 : ナノインプリントの基盤技術と最新の技術展開﹄フロンティア出版、2006年7月。ISBN 9784902410099。国立国会図書館書誌ID:000008256887。 ●平井義彦﹁ナノインプリント技術ナノインプリントの発展と今後の展望﹂﹃表面技術﹄第59巻第10号、表面技術協会、2008年、642-647頁、CRID 1390282679096029952、doi:10.4139/sfj.59.642、ISSN 09151869。 ●橋本信幸, 齋藤友香, 栗原誠﹁ナノインプリント技術を用いた微細光学素子の作成と液晶光学素子への応用(研究)﹂﹃マイクロメカトロニクス﹄第55巻第204号、日本時計学会、2011年、8-14頁、CRID 1390001206571135744、doi:10.20805/micromechatronics.55.204_8、ISSN 13438565。 ●松井真二﹁ナノインプリント技術の最新動向︵キーノートスピーチ︶﹂﹃精密工学会学術講演会講演論文集﹄2012年度精密工学会春季大会セッションID: H06、精密工学会、2012年、607-608頁、CRID 1390282680633435008、doi:10.11522/pscjspe.2012s.0.607.0。 ●松井真二, 平井義彦, 電子情報通信学会﹃ナノインプリント技術﹄電子情報通信学会、2014年3月。ISBN 9784885522857。国立国会図書館書誌ID:025314561。 ●平井義彦﹁ナノインプリント技術の現状と今後の展望﹂﹃精密工学会誌﹄第86巻第4号、精密工学会、2020年4月、243-246頁、CRID 1390002184892514048、doi:10.2493/jjspe.86.243、ISSN 09120289。

特許[編集]

●Aアメリカ合衆国特許第 5772905 A号 ●B2 アメリカ合衆国特許第 6943117 B2号 ●B2 アメリカ合衆国特許第 8864489 B2号 ●B2 アメリカ合衆国特許第 8912103 B2号 ●B2 アメリカ合衆国特許第 8027086 B2号 ●B2 アメリカ合衆国特許第 8741199 B2号 ●B2 アメリカ合衆国特許第 8636937 B2号

外部リンク[編集]

[2] ムーアの法則は形骸化しつつある。

[bisaikakou-1] ^ ^a ^b ^c ^d ^e ^f ^g 新しい微細パタン転写技術 2008/9

[3] ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（4）～「パーシャルフィールド」への対処 SEMICON West 2015リポート(11) 2015年09月15日

[4] <該当するページがみつかりません。> ナノインプリント産業の状況 ^{[リンク切れ]}

[1]

[注 1]

[2]

[3]