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Simon Sinek
Sinek, TEDx Maastricht 2011
誕生	Simon Oliver Sinek (1973-10-09) 1973年10月9日（50歳） Wimbledon, London, England
職業	Author, motivational speaker
最終学歴	City, University of London Brandeis University
代表作	Start With Why: How Great Leaders Inspire Everyone to Take Action,The Infinite Game
公式サイト	simonsinek.com
ウィキポータル 文学

サイモン・シネック︵英語: Simon Oliver Sinek、1973年10月9日 - )は英国系アメリカ人の作家。 著作に en:Start With Why (2009) 、 en:The Infinite Game (2019)など。

en:motivational speaker。

Early life and education

イギリスウィンブルドン生まれ、南アフリカ、ロンドン、香港を経てアメリカへ移住。 Sinek was born in Wimbledon, London, United Kingdom and as a child lived in Johannesburg, South Africa, London, and Hong Kong before settling in the United States. 1991年に en:Northern Valley Regional High School at Demarestを卒業。


ロンドン大学シティ校に入るも、活動のため退学。ブランダイス大学文化人類学の文学士号を持つ。

経歴

ニューヨークの広告代理店Euro RSCG、en:Ogilvy & Matherに勤務ののち、自らのビジネスen:Sinek Partners.

Simon Sinek's golden circle which describes a perspective of the influence of successful leaders and organisations.

を開始。

これまでに5冊の本を著している。en:Start With Why(2019年10月)。2冊目の著書en:Leaders Eat Lastは Wall Street Journal and The New York Timesベストセラーリストに掲載された。 

As a motivational speaker, Sinek has given talks at The UN Global Compact Leaders Summit, and at the TEDx conference.

In June 2018, The Young Turks reported a $98,000 no-bid contract from U.S. Immigration and Customs Enforcement (ICE) for "customized Simon Sinek leadership training" to take place between April 26 and May 15 2018.

Sinek is also an instructor of strategic communications at Columbia University, and is an adjunct staff member of the RAND Corporation.

Sinek started Optimism Press, which is an imprint of Penguin Random House.

Criticism

In 2018, Michael Schein criticised Sinek, charging: "You will hardly ever hear him give the other side of the story or cite a scientific finding that doesn't support his argument." As an example Schein cited a highly viewed video of a 2016 interview in which Sinek used a "thin" argument to explain "why millennials are such disappointments in the workplace". Nevertheless, Schein concluded that Sinek provides a model for how to "build a feverishly dedicated following" through self-promotion.

Books

• Sinek, Simon (2009). Start With Why: How Great Leaders Inspire Everyone to Take Action. New York: Portfolio/Penguin. ISBN 978-1591846444. OCLC 373054685. https://archive.org/details/startwithwhyhowg00sine 
• Sinek, Simon (2014). Leaders Eat Last: Why Some Teams Pull Together and Others Don't. New York: Portfolio/Penguin. ISBN 978-1591845324. OCLC 818731578. https://archive.org/details/leaderseatlastwh0000sine 
• Sinek, Simon (2016). Together Is Better: A Little Book of Inspiration. New York: Portfolio/Penguin. ISBN 978-1591847854. OCLC 957455007 
• Sinek, Simon (2017). Find Your Why: A Practical Guide for Discovering Purpose for You and Your Team. New York: Portfolio/Penguin. ISBN 9781101992982. OCLC 963912431 
• Sinek, Simon (2019). The Infinite Game. New York: Portfolio/Penguin. ISBN 9780735213500. OCLC 1101645201 

色中心

色中心とは、イオン結晶中の点欠陥に、電子や正孔が捕捉されたある種の格子欠陥のこと。

特定の波長の光を吸収して色が着くため、このように呼ばれる。このうち盛んに研究されたのがF中心である。︵Fはドイツ語で色を意味するFarbeに由来する ︶

例

• F中心：アルカリハライド結晶中の負イオン空孔に、電子が捕捉されたもの。
• M中心
• V中心
• H中心

脚注・出典

http://www.process.mtl.kyoto-u.ac.jp/pdf/shinnpo45_p233_p240_tuji.pdf

二端子測定法

二端子測定法は電気抵抗をより正確に測る方法の一つであり、広く用いられているテスター（マルチメータ）での電気抵抗測定に相当する。物性測定において、より高精度である四端子測定法と比較してこのように呼ばれることがある。

概要

物性測定における二端子測定法は、被測定物の両端に配線を施すだけで測定が可能である一方、接触抵抗および配線自体の抵抗の寄与があるため、測定する抵抗範囲が低い（あるいは超伝導体のように限りなく0に近い）場合には、四端子測定法に比べて測定誤差が大きくなりがちである。測定環境上、四端子測定法を実施できない場合には、測定誤差の寄与を別途評価しこれにより被測定物の結果を補正することで用いられることがある。

一方で、低温下測定を要する環境以外では、広くテスターとして市販されているように四端子測定法に比べ極めて簡便である。 テスターなど、測定レンジ（内部インピーダンス）が選択できる場合、高抵抗用の測定レンジにすることで試料にかかる電流を下げることが出来るため、繊細なデバイスの配線接続のチェックに用いられることもある。

関係式

二端子測定法において、キルヒホッフの法則で考慮される回路。接触抵抗$r_{i}$と配線抵抗$R_{i}$の番号は四端子測定法にならう。

キルヒホッフの電流の法則︵図中青矢印︶より、

$i=i_{\textrm {S}}+i_{\textrm {V}}={\textbf {I}}$$i=i_{\textrm {S}}+i_{\textrm {V}}={\textbf {I}}$が得られる。

ここで、電源から流れる電流$i$$i$は、測定される電流値$I$$I$に等しく、これは被測定物へ流れる$i_{S}$$i_{S}$と電圧計へ流れる$i_{V}$$i_{V}$の和となる。 またキルヒホッフの電圧の法則︵図中緑点破線︶より

$\left(r_{2}+R_{2}\right)\cdot i_{\textrm {S}}+R_{\textrm {S}}\cdot i_{\textrm {S}}+\left(r_{3}+R_{3}\right)\cdot i_{\textrm {S}}=R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}$$\left(r_{2}+R_{2}\right)\cdot i_{\textrm {S}}+R_{\textrm {S}}\cdot i_{\textrm {S}}+\left(r_{3}+R_{3}\right)\cdot i_{\textrm {S}}=R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}$
および、

$R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}={\textbf {V}}$$R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}={\textbf {V}}$
を得る。ここで電圧計に流れる電流$i_{V}$$i_{V}$と電圧計の内部インピーダンス$R_{\textrm {V}}$$R_{\textrm {V}}$の積が測定される電圧${\textbf {V}}$${\textbf {V}}$となる。

測定される電圧・電流の比から電気抵抗を求めると

${\frac {\textbf {V}}{\textbf {I}}}=\left(r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}\right)\cdot \left(1-{\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}\right)$${\frac {\textbf {V}}{\textbf {I}}}=\left(r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}\right)\cdot \left(1-{\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}\right)$$=R_{\textrm {S}}+r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}-\left(r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}\right)\cdot {\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}$$=R_{\textrm {S}}+r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}-\left(r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}\right)\cdot {\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}$
となる。第一項が求めたい被測定物の電気抵抗$R_{\textrm {S}}$$R_{\textrm {S}}$であるが、被測定物両端の接触抵抗および配線自体の抵抗、加えて$i_{\textrm {V}}/{\textbf {I}}$$i_{\textrm {V}}/{\textbf {I}}$の掛かった項︵誤差項︶の分だけ本来の値からずれることになる。 ここで、上述の式から誤差項の全電流に対する電圧計へ流れる電流$i_{\textrm {V}}/{\textbf {I}}$$i_{\textrm {V}}/{\textbf {I}}$は下のように表すことが出来る。

${\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}={\frac {r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}}{r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}+R_{\textrm {V}}}}$${\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}={\frac {r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}}{r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}+R_{\textrm {V}}}}$
この式から被測定物の抵抗値$R_{\textrm {S}}$$R_{\textrm {S}}$に比較して十分に大きな内部インピーダンス$R_{\textrm {V}}$$R_{\textrm {V}}$をもつ電圧計を用いれば、測定誤差︵誤差項の寄与︶を小さくすることが出来る。 四端子測定法に比べると、分子に接触抵抗$r_{i}$$r_{i}$と配線抵抗$R_{i}$$R_{i}$の寄与が入る分、効率は若干低いようである。

定数として足される接触抵抗$r_{i}$$r_{i}$と配線抵抗$R_{i}$$R_{i}$については、金蒸着等により接触抵抗を十分小さくしたり、配線抵抗を参照試料で別途測定・決定し差し引くことで、測定値を補正することが可能である。

四端子測定法

四端子測定法は物性測定において電気抵抗をより正確に測る方法の一つである。 被測定物の抵抗値が比較的低い場合や、超伝導体のように抵抗が限りなくゼロに近くなる場合に有効な測定手段である。

四端子法配線とその等価回路

概要

電気抵抗測定は室温環境では通常、テスター（マルチメータ）などを用いて、二端子を被測定物の両端に接続して測定される。 一方で、物性測定において電気抵抗を測るときは、極低温まで測定されることが多い。 このとき、測定用のケーブルが低温の被測定物に接続されており、このケーブルを伝わる熱の流入を抑える目的でケーブルの直径が細いものが用いられる。この場合、特に被測定物が超伝導体であれば、測定される電気抵抗が限りなく小さくなるため、金属のケーブル自身の電気抵抗や接触抵抗が無視できない値となる。

二端子測定法では測定誤差として含まれてしまう測定用の配線自体の抵抗、および試料との接続部の接触抵抗を、四端子測定法では回避することが出来る。

後述のように、より正確な測定をするためには高い内部インピーダンスが必要となる。 市販の低温測定機器においては 5*10^12$\Omega$ や10^10$\Omega$ 　 など、比較的高い値が用いられている。

関係式

四端子測定法において、キルヒホッフの法則で考慮される回路。ここで$R_{S}$は被測定物の電気抵抗、$R_{V}$は測定装置の内部インピーダンスであり、$r_{i}$、$R_{i}$はそれぞれ接触抵抗、配線自体の抵抗を表す。

キルヒホッフの電流の法則︵図中青矢印︶より、

$i=i_{\textrm {S}}+i_{\textrm {V}}={\textbf {I}}$$i=i_{\textrm {S}}+i_{\textrm {V}}={\textbf {I}}$が得られる。

ここで、電源から流れる電流$i$$i$は、測定される電流値$I$$I$に等しく、これは被測定物へ流れる$i_{S}$$i_{S}$と電圧計へ流れる$i_{V}$$i_{V}$の和となる。 またキルヒホッフの電圧の法則︵図中緑点破線︶より

$R_{\textrm {S}}\cdot i_{\textrm {S}}=\left(r_{2}+R_{2}\right)\cdot i_{\textrm {V}}+R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}+\left(r_{3}+R_{3}\right)\cdot i_{\textrm {V}}$$R_{\textrm {S}}\cdot i_{\textrm {S}}=\left(r_{2}+R_{2}\right)\cdot i_{\textrm {V}}+R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}+\left(r_{3}+R_{3}\right)\cdot i_{\textrm {V}}$
および、

$R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}={\textbf {V}}$$R_{\textrm {V}}\cdot i_{\textrm {V}}={\textbf {V}}$
を得る。ここで電圧計に流れる電流$i_{V}$$i_{V}$と電圧計の内部インピーダンス$R_{\textrm {V}}$$R_{\textrm {V}}$の積が測定される電圧${\textbf {V}}$${\textbf {V}}$となる。

測定される電圧・電流の比から電気抵抗を求めると

${\frac {\textbf {V}}{\textbf {I}}}=R_{\textrm {S}}-\left(r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}\right)\cdot {\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}$${\frac {\textbf {V}}{\textbf {I}}}=R_{\textrm {S}}-\left(r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}\right)\cdot {\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}$
となる。第一項が求めたい被測定物の電気抵抗$R_{\textrm {S}}$$R_{\textrm {S}}$であるが、第二項︵誤差項︶の分だけ本来の値からずれることになる。 ここで、上述の式から第二項の全電流に対する電圧計へ流れる電流$i_{\textrm {V}}/{\textbf {I}}$$i_{\textrm {V}}/{\textbf {I}}$は下のように表すことが出来る。

${\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}={\frac {R_{\textrm {S}}}{r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}+R_{\textrm {V}}}}$${\frac {i_{\textrm {V}}}{\textbf {I}}}={\frac {R_{\textrm {S}}}{r_{2}+R_{2}+r_{3}+R_{3}+R_{\textrm {S}}+R_{\textrm {V}}}}$
ここで接触抵抗や配線の抵抗はせいぜい1$\Omega$$\Omega$程度である。この式から被測定物の抵抗値$R_{\textrm {S}}$$R_{\textrm {S}}$に比較して十分に大きな内部インピーダンス$R_{\textrm {V}}$$R_{\textrm {V}}$をもつ電圧計を用いれば、測定誤差︵誤差項の寄与︶を小さくすることが出来る。 あるいは、試料の抵抗率が比較的大きな場合は、可能な限り小さな試料に整形・配線することで、形状からくる試料自体の抵抗値を下げるとよいことがわかる。

関連項目

• 電気抵抗
• オームの法則
• 内部抵抗
• en:Van der Pauw method

Helmholtz coil (02:59, 10 April 2013‎)

ヘルムホルツコイルの配置図

ヘルムホルツコイルは、空間的に均質な磁場を発生させるための、コイルの配置方法の一つである。ドイツの物理学者ヘルマン・フォン・ヘルムホルツにちなんで名づけられた。

概要

ヘルムホルツコイルは、同一の二つのコイルを同一の中心軸を持つように配置される。 このときのコイル間の距離はコイルの半径と同じでなければならず、流される電流も同じ向き・量である。 このときのコイルで挟まれた空間の中心部分が目的の磁場を発生させる空間となる。

コイル間の距離$h$$h$とコイルの半径$R$$R$が等しい、すなわち$h=R$$h=R$であるもののみをヘルムホルツコイルと呼ぶ。この組み合わせのときコイルの中心軸上の磁場の一様性が最大となる。とはいえ、ひとつのコイルの成す面とコイル間の中心では7％程度の変化は残る。

ヘルムホルツコイルはその磁場の一様性から地磁気を打ち消すために用いられることが多い。地磁気は殆どの場合において局所的には単一方向を向いていると見なせるため、同じく単一方向に向いた磁場を作ることの出来るヘルムホルツを用いることは理にかなっている。 　また高磁場中での物性測定において用いられる超伝導電磁石もこの配置である。

導出

位置

ヘルムホルツコイルが空間に作る磁場の任意の点での方向・強さを求めるには数学的には複雑であり、ベッセル関数を用いる必要がある。コイルペアの軸上について言えばより簡単に記述することが可能である。中心点を原点とし、コイルの中心軸上の点$x$$x$についてのテイラー展開を考える。

対称性よりテイラー展開の奇数次項は打ち消しあって0になる。2次の項についてもそれぞれのコイルについて、$x=0$$x=0$は変曲点になるため、トータルでは0になる。こうして不均質さの項は $x^{4}$$x^{4}$の項として残る。ひとつのコイルについて、その変曲点がコイルの中心軸上の、コイルから$R/2$$R/2$離れた点であることは容易に示すことができる。 このことからヘルムホルツコイルにおける各コイルの位置は中心点から$x=\pm R/2$$x=\pm R/2$に配置される。

磁場強度

簡単な計算で中心位置の磁場を得ることができる。半径をR、コイルの巻き数をｎ、コイルに流す電流をIとすると、中心点における磁束密度Bは以下の式で与えられる。

$B={\left({\frac {4}{5}}\right)}^{3/2}{\frac {\mu _{0}nI}{R}}$$B={\left({\frac {4}{5}}\right)}^{3/2}{\frac {\mu _{0}nI}{R}}$
ここで、$\mu _{0}$$\mu _{0}$ は真空の透磁率である($4\pi \times 10^{-7}{\text{ T}}\cdot {\text{m/A}}$$4\pi \times 10^{-7}{\text{ T}}\cdot {\text{m/A}}$)。


ひと巻きのコイルが、中心軸上に作る磁場は、ビオサバールの法則より

$B={\frac {\mu _{0}IR^{2}}{2(R^{2}+x^{2})^{3/2}}}$$B={\frac {\mu _{0}IR^{2}}{2(R^{2}+x^{2})^{3/2}}}$
ここで、:

$\mu _{0}\;$$\mu _{0}\;$ = 真空の透磁率 = $4\pi \times 10^{-7}{\text{ T}}\cdot {\text{m/A}}=1.257\times 10^{-6}{\text{ T}}\cdot {\text{m/A}}$$4\pi \times 10^{-7}{\text{ T}}\cdot {\text{m/A}}=1.257\times 10^{-6}{\text{ T}}\cdot {\text{m/A}}$
$I\;$$I\;$= コイルの電流︵アンペア単位︶

$R\;$$R\;$ = コイルの半径︵メートル︶

$x\;$$x\;$ = コイルの中心軸上の間隔︵メートル︶

しかし、実際のコイルは複数回巻かれているので、磁場を作るために流れる全電流は

$nI\;$$nI\;$ = total current

となる。ここで、

$n\;$$n\;$ = 片側のコイルのワイヤの巻き数

を上述の式へ導入すると

$B={\frac {\mu _{0}nIR^{2}}{2(R^{2}+x^{2})^{3/2}}}$$B={\frac {\mu _{0}nIR^{2}}{2(R^{2}+x^{2})^{3/2}}}$
ヘルムホルツコイルでは、中心から各コイルまでの距離がR/2であるのでこれを代入して、

$B={\frac {\mu _{0}nIR^{2}}{2(R^{2}+(R/2)^{2})^{3/2}}}$$B={\frac {\mu _{0}nIR^{2}}{2(R^{2}+(R/2)^{2})^{3/2}}}$
コイルが二つあるため上式をさらに2倍して

$B={\frac {2\mu _{0}nIR^{2}}{2(R^{2}+(R/2)^{2})^{3/2}}}$$B={\frac {2\mu _{0}nIR^{2}}{2(R^{2}+(R/2)^{2})^{3/2}}}$
$B={\left({\frac {4}{5}}\right)}^{3/2}{\frac {\mu _{0}nI}{R}}$$B={\left({\frac {4}{5}}\right)}^{3/2}{\frac {\mu _{0}nI}{R}}$
を得る。

Maxwell coils

コイル内空間の磁場の均一性をさらに向上させるために、ヘルムホルツコイルの外側にもうひとつ半径の大きなコイルを追加させる方法がある。 この配置によって6次の項までの不均一さを取り除けられることが、1873年にen:James Clerk Maxwellによって示された。これをen:Maxwell coilと呼ぶ事がある。

See also

• マクスウェルコイル (en:Maxwell coil)
• ソレノイド
• ビオ・サバールの法則
• en:Halbach array
• en:magnetic bottle

外部リンク

• On-Axis Field of an Ideal Helmholtz Coil
• Axial field of a real Helmholtz coil pair
• Helmholtz-Coil Fields by Franz Kraft, The Wolfram Demonstrations Project.
• Kevin Kuns (2007) Calculation of Magnetic Field inside Plasma Chamber, uses elliptic integrals and their derivatives to compute off-axis fields, from PBworks.