小山政俊
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小山 政俊︵こやま まさとし︶は、日本の半導体工学・電気工学者。大阪工業大学工学部電気電子システム工学科准教授、ナノ材料マイクロデバイス研究センター員。工学博士。応用物理学会関西支部幹事。電子情報通信学会電子デバイス研究会専門委員[1]。大阪産業技術研究所・大阪商工会議所との共同推進機関OIT-P︵Osaka Industrial Technology Platform; 地域産業技術プラットフォーム︶のメンバー[2]。
専門は、半導体工学・半導体プロセス工学、パワー半導体︵SiC・GaN・Ga2O3︶、半導体材料工学︵化合物半導体‥GaSb・InAs等、窒化物半導体‥GaN-HEMT等、酸化物半導体‥ZnO等︶[3]。
経歴[編集]
2004年大阪工業大学工学部電気電子システム工学科卒業。同大学大学院工学研究科電気電子工学専攻博士課程修了、工学博士。住友電工デバイスイノベーションにて半導体の研究開発に従事。2015年大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センターに着任。2017年同大学工学部電気電子システム工学科講師を経て、2022年同学科准教授、ナノ材料マイクロデバイス研究センター員。 主な所属学会は、IEEE、アメリカ物理学会(APS)、応用物理学会、アメリカ材料科学学会(MRS)、日本材料学会など。主な研究[編集]
●半導体微細構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出センサーの開発[4] ●InAs系ヘテロ構造を用いた室温動作テラヘルツ波検出器の開発 ●GaSb/InAsヘテロ接合に1.55umを用いたテラヘルツ波の放射素子の開発 - 大阪大学レーザー科学研究所との共同研究[5] ●ZnO-TFTへのHeプラズマ処理の効果 ●酸化物半導体表面のプラズマ処理に関する研究 ●酸化物/窒化物半導体ハイブリッド構造を用いた新規デバイスの開発 ●シリコン基板を用いたGa2O3-HEMTの開発 ●ミストCVD法によって成長した(111)3C-SiCテンプレート基板上ε-Ga2O3薄膜の熱的安定性 〜 次世代パワー半導体の開発[6][7] ●半導体装置の製造方法 - 住友電工デバイスイノベーションとの特許[8] 主な国際会議での発表は、- 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2020):「Structural Analysis and Characterization of Bilayer AZO Thin Film Transistor by SolutionProcess」
- MSR Fall Meeting 2019(ボストン):「Large-Area Chemically Synthesized Molybdenum Disulfide with Aqueous Thermolysis Method」
脚注[編集]
- ^ https://jsap-kansai.jp/about/execrutive2020/
- ^ https://www.oit.ac.jp/oitp/introduction/
- ^ https://www.oit.ac.jp/laboratory/room/245
- ^ https://www.oit.ac.jp/oitp/introduction/detail09.html
- ^ https://confit.atlas.jp/guide/event-img/jsap2020s/13p-B508-2/public/pdf?type=in
- ^ https://www.research.oit.ac.jp/columns/2021/columns-9600/
- ^ https://www.oit.ac.jp/japanese/news/eng_detail.php?id=201812004
- ^ https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5991609