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増幅回路

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[1]

×[ 1]


[]


(FET)

[2][ 2]

[]


÷







11[dB]便210000050dB

fNFP1dBIP3en:Third-order intercept point

[]


FET3Common emitterCommon collectorCommon base3FET
トランジスタ増幅回路の接地方式
接地方式 電圧増幅率 電流増幅率 周波数特性 入力インピーダンス 出力インピーダンス
エミッタ接地 -- --
コレクタ接地 1倍 --
ベース接地 -- --

注:設計次第である項目については -- とした

接地方式別概略回路図
エミッタ接地回路 コレクタ接地回路 ベース接地回路

バイアス方式[編集]


0V0A調

0V0.6V2mV/0V使






[]


0.1V調



1mAhFE1000.01mA(10μA)0.6Vv (v - 0.6) / 0.00001Ω

-hFEVbeVbe0.6V

[]




RL-VceRL1/22/3[3]2/3vVv/3Vv/3 - 0.6V1mA0.001 / hFEA (v/3 - 0.6) / (0.001 / hFE) (v/3 - 0.6) * hFE/ 0.001Ω


[]


emitter degeneration resistorhFE



(一)

(二)

(三)

(四)

(五)-

(六)

(七)

 RL/Re 



(一)Vbe12mV1mA5010%Re1kΩ

(二)10RL10kΩ

(三)1mARe1kΩ1.0VVbe0.6V1.6VR1R2÷hFER1R2

[]


 ()#

[]


or使 ABCDEH便

A[]


ABC50%[4]

B[]


B-PN0.2V0.7V

BPP




2SSBLC

 π/4 (78.5%)[5]A50%

AAB[6]

 AA

 PN (FET)


 B2AB2B1AB1

C[]


COff

LC LCSSBB
調


w:Frequency multiplier



その他の級[編集]

D級[編集]


D

調調90%

A-C

調調

1

E[]


EDD DPWM調D21D

[]

[]


1使A

[]


en:Pushpull output2BA ()#

CMOS


DEPP[]

DEPP

Double-Ended Push-Pull - 2SEPPPP
B

20.6V

1


SEPP[]


Single-Ended Push-Pull - 1  SEPPOTLOutput Transformer LessTV100Ω300Ω使 OTLASRPP(en:Shunt regulated push-pull amplifier)
   OTL使DEPPSEPP 1950
[]
SEPP ()

NPNPNP



SEPPSEPP


SEPP
[]
SEPP ()

SEPP

 SEPPΩ  SRPP 12VSEPP

[]

 

 [7]Circlotronw:CirclotronMcIntoshUnity Coupled circuit

差動増幅回路[編集]

差動増幅回路。

22

[]


1(PAE)[8]

調[]


調[9][10]()調[11]

調2EER(Envelope Elimination and Restoration)[11]ET(Envelope Tracking)[11]

[]


1936W.H.AC[12]CA[13][11][8]

AC1C[14]AC[8]

LINC[]


LINC1974Cox[11][13]PAPR[11]

帰還[編集]


(NFB, Negative FeedBack)1

10001001/1010=1/10-11/1001/1010

(PFB, Positive FeedBack)

[]




RF

AF


IF

DCDirect Coupleden:Direct coupled amplifierDC



A,B,CA

SN調調

[]


1μWmW110060dB110dB

使使使使


結合方式[編集]

















[]



[]






ICGND

AGC回路[編集]


AGCAutomatic Gain Control調調

AGC調

(Attack time)



調

脚注[編集]

注釈[編集]

  1. ^ 真空管でもトランジスタでもこの点は基本的に同様である。
  2. ^ 大出力が必要な場合、最終段が真空管やパワーMOSFETなど入力に電流を多く必要としない素子であれば基本的に電圧の増幅が中心で良いが、バイポーラの大電力パワートランジスタは一般に電流増幅率は低めであり、ある程度の電流も必要になる。

出典[編集]



(一)^ p662000

(二)^ pp105-1062000

(三)^ ( &  2002)

(四)^ p1221994

(五)^ pp123-1251994

(六)^ p1251994

(七)^ 61219521165pp. 68-75 pp. 49- PP使6A3BPP6AR6PP

(八)^ abcY.Takayama, "Fundamentals of Microwave High-Efficiency Amplifiers", MWE 2007 TL03-01, Nov 2007. (PDF). 2013211

(九)^ 調 -  - Tech-On!. 2013211

(十)^ 調 (PDF). 2013211

(11)^ abcdefM.Nakayama and T.Takagi, "Techniques for Low Distortion and High Efficiency Power Amplifier", MWE 2004 TL03-02, Nov 2004. (PDF). 2013211

(12)^ W.H.Doherty, "A new high efficiency power amplifier for modulated waves2, Proc IRE, vol 24, no.9, pp. 1163-1182, Sept. 1936.

(13)^ abK.Honjo, "Fundamentals of Microwave Amplifiers", MWE 2008 TL04-01, Nov 2008. (PDF). 2013211

(14)^ NXPRF3-way Doherty. 2013211

参考文献[編集]


, ,  ()19862ISBN 4886862020 

20027ISBN 9784416102053 

関連項目[編集]

外部リンク[編集]