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シナプス

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
EPSPから転送)

synapse
神経細胞の構造図 en:Dendrites=樹状突起en:Rough ER (en:Nissl body)=粗面小胞体ニッスル小体)、en:Polyribosomes=ポリリボソームen:Ribosomes=リボソームen:Golgi apparatus=ゴルジ体en:Nucleus=細胞核en:Nucleolus=核小体en:Membrane=en:Microtubule=微小管en:Mitochondrion=ミトコンドリアen:Smooth ER=滑面小胞体en:Synapse (Axodendritic)=シナプス軸索樹状突起en:Synapse=シナプスen:Microtubule en:Neurofibrils=微小管ニューロフィラメントen:Neurotransmitter=神経伝達物質en:Receptor=受容体en:Synaptic vesicles=シナプス小胞en:Synaptic cleft=シナプス間隙、 en:Axon terminal=軸索末端en:Node of Ranvier =ランヴィエの絞輪en:Myelin Sheath(en:Schwann cell)=ミエリン鞘シュワン細胞)、en:Axon hillock=軸索小丘en:Nucleus (en:Schwann cell)=細胞核シュワン細胞)、en:Microfilament=マイクロフィラメントen:Axon=軸索

化学シナプス

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シナプス前細胞(A)からシナプス後細胞(B)への化学シナプスを経由した神経伝達の様子 (1)ミトコンドリア、(2)神経伝達物質が詰まったシナプス小胞、(3)自己受容体、(4)シナプス間隙を拡散する神経伝達物質、(5)後シナプス細胞の受容体、(6)前シナプス細胞のカルシウムイオンチャネル、(7)シナプス小胞の開口放出、(8)神経伝達物質の能動的再吸収


構造と機序

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20nm調





(一)

(二)

(三)

(四)

(五)

分類

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3

EPSP; Excitatory PostSynaptic PotentialEPSP

IPSP; Inhibitory PostSynaptic PotentialIPSP

EPSP

可塑性

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EPSPLTP; Long Term PotentiationIPSPLTD; Long Term DepressionSTDP; Spike Timing Dependent Plasticity

LTPLTDLTPLTD (Depotentiation) (Dedepression) 

電気シナプス

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電気シナプス(ギャップ結合)の模式図

 調

 [1][2]

構造と機序

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6261000 nmnm

形成

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発生過程でのシナプスの形成は、伸長する軸索の先端に存在する成長円錐が標的に到達した時に開始する(軸索誘導シナプス形成神経回路形成)。

分布とシグナル伝達

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 (1)(2)(3)(4)
 (1)(2)(3)(4)(5)


脚注

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出典

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  1. ^ Llinas, R., Baker, R. and Sotelo, C. (1974), Electrotonic coupling between neurons in cat inferior olive, J. Neurophysiol., 37: 560 – 571
  2. ^ Condorelli D.F.Trovato-Salinaro A.Mudo G.Mirone M.B.Belluardo N.fCellular expression of connexins in the rat brain neuronal localization, effects of kainate-induced seizures and expression in apoptotic neuronal cells.Eur. J. Neurosci. 2003; 18: 1807-1827

関連項目

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外部リンク

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